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 无液氮超导霍尔(8T)

霍尔效应测试系统
      ---低温超强磁场(2K、8T)

该系统主要采用无液氦超导霍尔系统技术,用于HgCdTe 、GaN、InSb 等半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率等各项电学参数的测试。
1. 系统可提供范德堡法和霍尔Bar 两种测量方法,通过软件直接定义相关样品属性。
2. 通过测量样品I-V 曲线来判定样品电极是否符合要求。
3. 可直接测定参数有霍尔电压,霍尔电阻,磁致电阻,并通过专业的软件计算电阻率、霍尔系数、载流子浓度和迁移率等参数。系统软件可直接显示如上参数随磁场变化曲线。
4. 系统可提供线性磁场和磁滞回线等扫描形式。
5. 软件可测量并显示霍尔相关参数随温度变化的曲线。不同温度下得到的霍尔相关参数,可用来研究半导体材料活化能和主宰散射机理等特性。
6. 系统软件提供多载流子材料体系的定量迁移率谱(QMSA )分析计算模块。
7. 多种测试步骤在一个实验中就能完成,也允许在任一温度下测定所有电极的伏安曲线,霍尔系数,电阻率。
8. 完全一体化、自动化的计算机数据采集系统,测试方便快捷。测量数据可保存为各种通用的数据和图形文件。


主要技术指标:

1. 样品样品数量:1-2 个(一次可以放入1~2个样品)
   *测量方式:Hall bar, van der Pauw
   *样品尺寸:20mm diameter
2. 阻值范围:
   *霍尔巴法:0.1mΩ - 1GΩ
   *范德堡法:0.04mΩ - 1GΩ
3. 电压及电流
   *电流:±500fA~±100mA
   *电压:0~95V
4. 载流子浓度
   *最小:102cm-3
   *最大:1023cm-3
5. 迁移率
   *迁移率测量范围:1~1×106cm2/VS
   *可进行多载流子的定量迁移率谱分析(QMSA)
6. 磁场(可连续变化)
   *磁场:0~8T
   *磁场可控精度:1.0×10-3T
7. 温度范围
   *温度范围:<1.8K~325K
   *控温精度: 0.1K
   *降温时间:温度由325K 降至4K,所用时间小于2.5 小时
8. 更换样品要求
   *可在任意温度下更换样品
   *每次更换样品前后,控温所用时间小于20 分钟
9. 样品室制冷和水循环系统
   *样品室制冷,采用可循环的非液氦制冷系统,可在任何温度下更换样品。
   *水循环系统控温精度小于1 度,噪音小于50dB
10. 真空系统
   *真空泵:无油真空干泵
   *真空度:小于5Pa



 
 
 
 
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